中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部秦華課題組2023年4月招聘博士后、實驗輔助人員啟事
崗位1:博士后2名
崗位2:實驗輔助人員1名
太赫茲器件與應(yīng)用實驗室瞄準國家在太赫茲波技術(shù)領(lǐng)域的重大需求,開展太赫茲/亞毫米波器件的底層關(guān)鍵技術(shù)研究和應(yīng)用研究。具體圍繞6G太赫茲通信、雷達成像、等離子體診斷、安檢和工業(yè)無損檢測等應(yīng)用場景,研究高靈敏度混頻探測器等器件物理、高效高功率倍頻與功率放大電路、相干接收機陣列和有源相控陣等關(guān)鍵技術(shù)。器件與電路研究涉及第三代半導(dǎo)體氮化鎵高電子遷移率晶體管、肖特基勢壘二極管等核心器件及其單片集成電路的設(shè)計、仿真、制造和測試驗證,應(yīng)用技術(shù)研究包括太赫茲/亞毫米波組件的集成、光機電集成、電子信息軟硬件系統(tǒng)和現(xiàn)場試驗等。
實驗室根據(jù)項目需要,近期擬招聘以下崗位科研人員。
崗位1職責:太赫茲/亞毫米波器件與應(yīng)用組件研究
崗位1要求:
(1)博士學位;
(2)具有較強的微波電磁場、半導(dǎo)體物理或器件物理基礎(chǔ)理論知識;
(3)具有毫米波/太赫茲探測器相關(guān)研究經(jīng)驗者優(yōu)先考慮;
(4)具有較強的團隊合作意識,善于溝通,認真負責,實踐能力強。
崗位2職責:氮化鎵器件工藝技術(shù)開發(fā)
崗位2要求:
(1)大專及以上學歷;
(2)具有一定的半導(dǎo)體物理、材料或半導(dǎo)體器件等基礎(chǔ)知識;
(3)具有GaN基電子器件等相關(guān)工藝經(jīng)驗者優(yōu)先考慮;
(4)具有較強的團隊合作意識,善于溝通,認真負責,動手能力強。
崗位待遇:
(1)中科院蘇州納米所為國家級事業(yè)單位,根據(jù)崗位職級提供有競爭性的薪酬待遇。
(2)具有博士學歷的聘用人員可列入中科院特別研究助理(博士后),固定薪酬28萬元,外加績效等獎勵。特別優(yōu)秀者可獲得30萬人才津貼(江蘇省卓越博士),獲批中科院特別研究助理項目、所“優(yōu)秀博士后”可獲得12萬人才津貼。業(yè)績突出者,博士后出站后可以優(yōu)先留所工作。園區(qū)工作站博士后,出站后在蘇州購房可獲30萬元安家補貼。
(3)本科及以上學歷,蘇州工業(yè)園區(qū)提供優(yōu)租房。
應(yīng)聘方式:
1.報名截止時間為:招滿為止。
2.請應(yīng)聘者將個人簡歷等(包括研究工作總結(jié),發(fā)表論文,推薦聯(lián)系人等)以“姓名+博后/實習研究員應(yīng)聘+碩博英才網(wǎng)”為主題發(fā)送至hqin2007@sinano.ac.cn。
3.將電話或E-mail通知初選合格者參加面試。
4.參加面試初審者需提供:1)學歷、學位證書及復(fù)印件;2)專家推薦信和其他可以證明本人能力及水平的相關(guān)資料等。
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原文出處:
http://www.sinano.cas.cn/rczp/kyzp/202304/t20230413_6738150.html
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