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復(fù)旦大學(xué)新一代集成電路技術(shù)集成攻關(guān)大平臺(tái)2023年招聘專任副研究員

發(fā)布時(shí)間:2023-10-20 15:56信息來(lái)源:復(fù)旦大學(xué)
招聘崗位 專任副研究員1名(所屬任務(wù):3-5nm)
崗位職責(zé) 1.FinFET及GAA器件的設(shè)計(jì)及工藝整合。
2.SiGe材料外延工藝開(kāi)發(fā)。
3.面向先進(jìn)工藝的DTCO技術(shù)研究。
招聘條件 1.擁護(hù)黨和國(guó)家的各項(xiàng)方針政策,遵守法律法規(guī),品行端正;身體健康,心理素質(zhì)良好;愛(ài)崗敬業(yè),恪守學(xué)術(shù)規(guī)范和職業(yè)道德。
2.具有微電子、物理、材料相關(guān)專業(yè)/學(xué)科博士學(xué)位。
3.年齡一般在40周歲以下。
4.須具有副高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格或海外人員達(dá)到相應(yīng)水平,或任務(wù)特需的,具有中級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格(獲聘后按中級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格認(rèn)定)
5.精通半導(dǎo)體器件物理以及集成電路工藝,具有豐富的半導(dǎo)體器件和工藝開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),包括EBL/刻蝕/外延/ALD/CVD,器件/工藝仿真等。
6.具有重大項(xiàng)目研究經(jīng)歷者優(yōu)先。
招聘范圍 校內(nèi)、外
崗位待遇 1.與學(xué)校簽訂勞動(dòng)合同,可申請(qǐng)學(xué)校相關(guān)住房。
2.提供有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的薪資待遇和優(yōu)越的科研環(huán)境。
3.符合相關(guān)條件的,可按照學(xué)校規(guī)定申請(qǐng)子女入托入學(xué)。
應(yīng)聘程序 1.應(yīng)聘者發(fā)送個(gè)人簡(jiǎn)歷(包括學(xué)習(xí)研究經(jīng)歷、發(fā)表論文列表、既往研究成果、未來(lái)研究計(jì)劃等)至qyx@fudan.edu.cn,抄送到xu_min@fudan.edu.cn(郵件標(biāo)題注明:應(yīng)聘某某崗位+本人姓名+碩博英才網(wǎng))。
2.擇優(yōu)安排面試。
3.擬聘用者報(bào)學(xué)校審批。
聯(lián)系方式 郵箱:xu_min@fudan.edu.cn
截止日期 2023年12月31日
備注 訂立聘用合同或者勞動(dòng)合同以前有下列情形的,不予錄用:
(1)受過(guò)刑事處罰、行政拘留處罰,或者因涉嫌違法正在接受有關(guān)部門(mén)調(diào)查,尚未作出結(jié)論的;
(2)受到黨(團(tuán))紀(jì)、政紀(jì)處分,處分尚未解除,或者因涉嫌違紀(jì)正在接受有關(guān)單位調(diào)查,尚未作出結(jié)論的;
(3)違反高等學(xué)校教師職業(yè)行為規(guī)范的;
(4)在應(yīng)聘過(guò)程中違背誠(chéng)實(shí)信用或者社會(huì)公序良俗的;
(5)其他不符合聘用條件的情形。

原文出處:

https://hr.fudan.edu.cn/af/09/c15365a634633/page.htm

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