復(fù)旦大學(xué)新一代集成電路技術(shù)集成攻關(guān)大平臺(tái)2023年招聘專任副研究員
招聘崗位 | 專任副研究員1名(所屬任務(wù):3-5nm) |
崗位職責(zé) | 1.FinFET及GAA器件的設(shè)計(jì)及工藝整合。 2.SiGe材料外延工藝開(kāi)發(fā)。 3.面向先進(jìn)工藝的DTCO技術(shù)研究。 |
招聘條件 | 1.擁護(hù)黨和國(guó)家的各項(xiàng)方針政策,遵守法律法規(guī),品行端正;身體健康,心理素質(zhì)良好;愛(ài)崗敬業(yè),恪守學(xué)術(shù)規(guī)范和職業(yè)道德。 2.具有微電子、物理、材料相關(guān)專業(yè)/學(xué)科博士學(xué)位。 3.年齡一般在40周歲以下。 4.須具有副高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格或海外人員達(dá)到相應(yīng)水平,或任務(wù)特需的,具有中級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格(獲聘后按中級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格認(rèn)定) 5.精通半導(dǎo)體器件物理以及集成電路工藝,具有豐富的半導(dǎo)體器件和工藝開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),包括EBL/刻蝕/外延/ALD/CVD,器件/工藝仿真等。 6.具有重大項(xiàng)目研究經(jīng)歷者優(yōu)先。 |
招聘范圍 | 校內(nèi)、外 |
崗位待遇 | 1.與學(xué)校簽訂勞動(dòng)合同,可申請(qǐng)學(xué)校相關(guān)住房。 2.提供有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的薪資待遇和優(yōu)越的科研環(huán)境。 3.符合相關(guān)條件的,可按照學(xué)校規(guī)定申請(qǐng)子女入托入學(xué)。 |
應(yīng)聘程序 | 1.應(yīng)聘者發(fā)送個(gè)人簡(jiǎn)歷(包括學(xué)習(xí)研究經(jīng)歷、發(fā)表論文列表、既往研究成果、未來(lái)研究計(jì)劃等)至qyx@fudan.edu.cn,抄送到xu_min@fudan.edu.cn(郵件標(biāo)題注明:應(yīng)聘某某崗位+本人姓名+碩博英才網(wǎng))。 2.擇優(yōu)安排面試。 3.擬聘用者報(bào)學(xué)校審批。 |
聯(lián)系方式 | 郵箱:xu_min@fudan.edu.cn |
截止日期 | 2023年12月31日 |
備注 | 訂立聘用合同或者勞動(dòng)合同以前有下列情形的,不予錄用: (1)受過(guò)刑事處罰、行政拘留處罰,或者因涉嫌違法正在接受有關(guān)部門(mén)調(diào)查,尚未作出結(jié)論的; (2)受到黨(團(tuán))紀(jì)、政紀(jì)處分,處分尚未解除,或者因涉嫌違紀(jì)正在接受有關(guān)單位調(diào)查,尚未作出結(jié)論的; (3)違反高等學(xué)校教師職業(yè)行為規(guī)范的; (4)在應(yīng)聘過(guò)程中違背誠(chéng)實(shí)信用或者社會(huì)公序良俗的; (5)其他不符合聘用條件的情形。 |
原文出處:
https://hr.fudan.edu.cn/af/09/c15365a634633/page.htm
聲明:凡本網(wǎng)注明“來(lái)源:XXX”的文/圖等稿件,本網(wǎng)轉(zhuǎn)載出于傳遞更多信息及方便產(chǎn)業(yè)探討之目的,并不意味著本站贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,文章內(nèi)容僅供參考。如其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載使用,須保留本網(wǎng)站注明的“來(lái)源”,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。作者如果不希望被轉(zhuǎn)載或者聯(lián)系轉(zhuǎn)載等事宜,請(qǐng)與我們聯(lián)系。郵箱:shuobojob@126.com。
微信公眾號(hào)

關(guān)注碩博英才網(wǎng)官方微信公眾號(hào)
碩博社群
- 博士交流群:32805967
- 北京碩博交流群:290718865
- 上海碩博交流群:79953811
- 天津碩博交流群:290718631
- 重慶碩博交流群:287970477
- 江蘇碩博交流群:38106728
- 浙江碩博交流群:227814129
- 廣東碩博交流群:227814204
- 湖北碩博交流群:326626252
- 山東碩博交流群:539554015